수리과학, 물리학, 화학, 생명과학 분야와 이들을 기반으로 한 융&복합 분야
미래 산업 경쟁력 강화의 근간이 되는 소재 및 ICT 분야
과제 & 연구자
전계효과 트랜지스터(FET)는 현대 집적회로(IC)의 핵심소자로 로직과 메모리 응용 모두에 필수적이며 반도체 소자의 소형화/적층화에 따라 공간의 한계를 극복하고 IC 집적도를 높일 수 있도록 평면 구조에서 벗어나 고밀도, 고성능 3차원 구조로 진화 중입니다. 즉, sub-10 nm 노드에 대응하기 위해 실리콘 채널을 핀 모양으로 제작하여 게이트 전극이 채널을 3 면으로 둘러싼 구조를 개발, 게이트 커플링 효율을 높였으나 실리콘 기반 채널 기반 Fin-FET 은 초미세공정 노드(sub-5nm technology node)에 들어섬에 따라 단채널 효과 및 누설전류 증가, 이동도의 기하급수적 저하를 피할 수 없습니다. 이에 따라 트랜지스터의 성능 저해없이 게이트 길이 초미세 스케일링에 따른 채널 바디 두께의 상당한 감소가 필히 요구되고 있습니다. 결국, 이러한 “구조적” 혁신과